Полупроводниковая индустрия ускоряет разработку памяти следующего поколения: стандарт DDR6 ожидается в 2027 году. Ведущие производители, такие как Samsung, Micron и SK Hynix, уже завершили прототипирование и приступили к тестированию. Совместно с Intel, AMD и NVIDIA они нацелены на стартовую пропускную способность 8800 МТ/с с перспективой роста до 17 600 МТ/с, что вдвое превышает возможности большинства ныне существующих модулей DDR5. Такой скачок обусловлен новой архитектурой с четырьмя 24-битными подканалами, в отличие от двух 32-битных в DDR5, что требует новых подходов к организации целостности сигнала.
Для преодоления физических ограничений формата DIMM индустрия делает ставку на CAMM2. Первые модули DDR6 появятся в серверных платформах в 2027 году, а затем в высокопроизводительных ноутбуках. Проверки платформ запланированы на 2026 год. Аналитики прогнозируют, что DDR6 ускорит развитие ИИ и высокопроизводительных вычислений, но высокая цена на старте ограничит доступность модулей дата-центрами и лабораториями, а до рядовых пользователей и их систем новинки доберутся позже.
Click here to preview your posts with PRO themes ››
